반도체는 미세 공정일수록 성능이 향상되는데 D램은 업계에서 가장 미세 공정으로 생산한다.

 

삼성전자는 18일 12나노 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산한다고 전했다.

 

12나노는 10나노급 대 D램 중 5세대로 경쟁사들은 현재 4세대인 D램을 생산하고 있다.

 

삼성전자는 D램 커패시터 용량을 확대했으며 극자외선(EUV) 노광 공정과 함께 첨단 공정 기술을 적용, 신제품 생산성을 전 세대 대비 20%로 늘렸다고 전했다.

 

이로써 삼성전자는 경쟁사들의 추격을 따돌리고 한발 앞서 신규 시장을 창출할 것으로 보인다.

 

삼성전자는 "2나노 D램 라인업을 지속적으로 늘려 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등에 공급할 계획"이라며 "D램 시장을 지속적으로 주도할 것"이라고 밝혔다.